|
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1, страницы 62–65
(Mi phts2671)
|
|
|
|
Статические характеристики МДП транзисторов на основе
CdxHg1−xTe
В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев
Аннотация:
Описаны основные свойства МДП транзисторов с индуцированным
каналом на основе твердых растворов p-CdxHg1−xTe
(с x≃0.3), работающих в режиме обогащения.
Образец цитирования:
В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев, “Статические характеристики МДП транзисторов на основе
CdxHg1−xTe”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 62–65
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2671 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i1/p62
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 65 | PDF полного текста: | 67 |
|