Влияние ориентированной деформации и $\gamma$-облучения на уровни платины в кремнии

При диффузионном легировании платина образует в кремнии акцепторы и доноры с энергиями ионизации ${E_{a}=E_{c}-0.26}$ и ${E_{v}+0.36}$ эВ с сечениями захвата носителей тока ${9.7\cdot 10^{-15}}$ и ${3.8\cdot10^{-14}\,\text{см}^{2}}$ соответственно. В $n$-Si преобладают акцепторы, в $p$-Si — доноры. Под действием одноосного давления $E_{a}$ уменьшается. Изменение $E_{a}$ составляет 13$-$36 мэВ/ГПа в зависимости от ориентации образца. После облучения $\gamma$-квантами ${}^{60}$Со концентрация уровней Pt незначительно уменьшается (на 20% при дозе ${7.4\cdot 10^{18}\,\text{кв/см}^{2}}$). Скорость образования радиационных дефектов в Si (Pt) выше, чем в контрольных образцах.