Емкостная спектроскопия глубоких уровней, возникающих в кремнии после диффузии серы

В $n$-Si, легированном серой при $900{-}1100^{\circ}$С, обнаружены четыре глубоких уровня (ГУ) с энергиями ионизации 0.184, 0.35, 0.3 и 0.56 эВ ($A$, $D$, $C$ и $D$ соответственно), которые по своим свойствам распадаются на две группы $A{-}B$ и $C{-}D$. На основании анализа экспериментальных и литературных данных высказана гипотеза, что ГУ $A$ и $B$ связаны с комплексами сера–вакансия, а ГУ $C$ и $D$ — с междоузельными центрами. Показано, что образование комплексов вакансионного типа стимулирует образование комплексов с участием междоузельных атомов Si.