Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1896–1898 (Mi phts2567)  
Краткие сообщения

Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии

В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон
PDF полного текста (437 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон, “Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1896–1898
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ger83}
\by В.~Ф.~Банная, Л.~И.~Веселова, Е.~М.~Гершензон
\paper Об одном способе определения концентрации глубоких примесей
в~германии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 10
\pages 1896--1898
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2567}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2567
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i10/p1896
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:44
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025