|
Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1775–1781
(Mi phts2533)
|
|
|
|
О возможности автолокализации экситона Френкеля в алмазоподобных
полупроводниках
В. Г. Бутько, К. Б. Толпыго
Аннотация:
Рассматривается волновой пакет из состояний экситона
Френкеля. Его взаимодействие с решеткой описывается посредством силы
расталкивающей ближайшие атомы возбужденной связи. Условие максимума энергии
экситона и деформированного кристалла по отношению к размерам области
локализации определяет высоту барьера, а также оптимальную форму волнового
пакета, приобретая которую, последний будет далее сжиматься вплоть до состояния
полной локализации. Оценка высоты барьера и вероятности автолокализации
приводит к правильному порядку величины для вероятности
дефектообразования при собственном поглощении света.
Образец цитирования:
В. Г. Бутько, К. Б. Толпыго, “О возможности автолокализации экситона Френкеля в алмазоподобных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1775–1781
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2533 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i10/p1775
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 58 | PDF полного текста: | 32 |
|