|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1070–1075
(Mi phts248)
|
|
|
|
Теория возбуждения рэлеевских волн при поглощении оптических
импульсов в полупроводниках
В. Э. Гусев, А. А. Карабутов Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Аннотация:
Развита теоретическая модель генерации рэлеевских волн
в полупроводниках, учитывающая деформацию решетки при фотовозбуждении
электронно-дырочной плазмы. Установлена связь спектра ПАВ с такими
параметрами, определяющими динамику неравновесных носителей, как коэффициент
диффузии, время объемной рекомбинации, скорость поверхностной рекомбинации.
Рассмотрены предельные случаи объемного и поверхностного поглощения
оптического излучения.
Поступила в редакцию: 29.07.1985 Принята в печать: 20.12.1985
Образец цитирования:
В. Э. Гусев, А. А. Карабутов, “Теория возбуждения рэлеевских волн при поглощении оптических
импульсов в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1070–1075
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts248 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i6/p1070
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 71 | PDF полного текста: | 42 |
|