|
Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 8, страницы 1430–1437
(Mi phts2441)
|
|
|
|
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии
для определения
химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках
Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. И. Елантьев, М. Л. Кагане, В. В. Мултановский, Н. Г. Птицина
Аннотация:
Обсуждается метод определения раздельной концентрации
и химической природы мелких примесей в чистых полупроводниках, основанный
на измерении времени релаксации и спектра субмиллиметровой фотопроводимости
полупроводника. Описываются устройство и характеристики спектрометров
с лампами обратной волны (ЛОВ), разработанных для анализа
примесей, и приводятся результаты измерений в Ge, GaAs и InSb.
Образец цитирования:
Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. И. Елантьев, М. Л. Кагане, В. В. Мултановский, Н. Г. Птицина, “Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии
для определения
химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1430–1437
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2441 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i8/p1430
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 76 | PDF полного текста: | 35 |
|