Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 1133–1135 (Mi phts2363)  
Краткие сообщения

Фотопроводимость легированных монокристаллов ZnIn$_{2}$S$_{4}$ после переключения

В. Ф. Житарь, Н. А. Молдовян, С. И. Радауцан
PDF полного текста (451 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Житарь, Н. А. Молдовян, С. И. Радауцан, “Фотопроводимость легированных монокристаллов ZnIn$_{2}$S$_{4}$ после переключения”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1133–1135
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Rad83}
\by В.~Ф.~Житарь, Н.~А.~Молдовян, С.~И.~Радауцан
\paper Фотопроводимость легированных монокристаллов
ZnIn$_{2}$S$_{4}$ после переключения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 6
\pages 1133--1135
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2363}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2363
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i6/p1133
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025