Сдвиг распределений и инверсия населенности легких дырок относительно тяжелых в Ge в скрещенных $\mathbf{E}\perp\mathbf{B}$ полях

Рассмотрена модель возникновения инверсии населенности прямых оптических переходов в валентной зоне Ge за счет относительного сдвига распределений дырок в легкой и тяжелой зонах. Представлены расчеты методом Монте-Карло функций распределения дырок в $p$-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях. Показано наличие значительного смещения в пространстве импульсов распределений легких дырок относительно тяжелых, которое порождает инверсию.