Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 5, страницы 885–888 (Mi phts2301)  

Подвижность электронов в $n$-Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$

Э. К. Арушанов, А. Ф. Князев, К. Г. Лисунов, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан
Аннотация: Впервые исследованы зависимости подвижности носителей заряда в $n$-Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$ при 4.2, 77 и 300 K от состава и определены доминирующие механизмы рассеяния электронов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. К. Арушанов, А. Ф. Князев, К. Г. Лисунов, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, “Подвижность электронов в $n$-Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 885–888
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AruLisRad83}
\by Э.~К.~Арушанов, А.~Ф.~Князев, К.~Г.~Лисунов, А.~Н.~Натепров, С.~И.~Радауцан
\paper Подвижность электронов в~$n$-Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 5
\pages 885--888
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2301}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2301
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i5/p885
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:75
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025