Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 844–848 (Mi phts201)  
Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния

М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
PDF полного текста (556 kB)
Аннотация: Исследовались вольтамперные характеристики (ВАХ) диодных структур на основе SiC в интервале температур 293÷800 K. Установлено, что обратные токи при высоких температурах обусловлены генерацией носителей в области объемного заряда.
Прямые ВАХ описывались экспоненциальной зависимостью и состояли из двух участков. Показано, что при высоких температурах протекание прямого тока на первом участке ВАХ описывается теорией Шокли–Нойса–Саа. Протекание прямого тока на втором участке ВАХ можно объяснить механизмом рекомбинации носителей через многоуровневый центр в слое объемного заряда.
Поступила в редакцию: 10.09.1985
Принята в печать: 26.11.1985
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 844–848
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AniLebPop86}
\by М.~М.~Аникин, А.~А.~Лебедев, И.~В.~Попов, А.~М.~Стрельчук, А.~В.~Суворов, А.~Л.~Сыркин, В.~Е.~Челноков
\paper Исследование вольтамперных характеристик диодных структур
на основе карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 5
\pages 844--848
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts201}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts201
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i5/p844
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025