Действие мощных импульсных потоков ионов малой энергии на GaAs

Исследован эффект компенсации GaAs под действием интенсивных потоков низкоэнергетичных ионов As. Показано, что компенсация при температурах облучения ${350\div500^{\circ}}$С связана с миграцией первичных радиационных дефектов в глубь GaAs и образованием сложных комплексов в режиме, нелинейном относительно интенсивности облучения. Предложена феноменологическая модель процесса, предполагающая накопление комплексов дивакансия–атом донора через промежуточное короткоживущее состояние. Из сравнения с экспериментом найдены диффузионная длина вакансий в GaAs и характеристики промежуточного комплекса.