|
Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 9, страницы 1704–1706
(Mi phts1962)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Влияние гидростатического давления на край фундаментального
поглощения TlInS2 и TlInS1.8Se0.2
К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, Г. И. Пересада, М. М. Шукюров, Э. Ю. Салаев
Образец цитирования:
К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, Г. И. Пересада, М. М. Шукюров, Э. Ю. Салаев, “Влияние гидростатического давления на край фундаментального
поглощения TlInS2 и TlInS1.8Se0.2”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1704–1706
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1962 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i9/p1704
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 56 | PDF полного текста: | 30 |
|