Бесстолкновительный сдвиг функции распределения носителей заряда в электрическом поле и излучательные переходы в полупроводниках

Рассмотрены условия реализации сдвинутого максвелловского распределения носителей заряда при их бесстолкновительном движении под действием электрического поля в коротких полупроводниковых структурах. Показано, что бесстолкновительный сдвиг функции распределения в импульсном пространстве может обусловить: а)  возникновение инверсии населенности легкой и тяжелой подзон относительно спонтанных излучательных переходов между подзонами; б)  изменение излучательных переходов между зоной проводимости и примесными уровнями; в)  преимущественное накопление дырок в гофрированной зоне в области отрицательных эффективных масс для поперечного тока.