Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 5, страницы 865–872 (Mi phts1750)  
Рассеяние носителей заряда в ионных полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны

Ю. Е. Перлин, Ш. Н. Гифейсман

Кишиневский государственный университет им. В. И. Ленина
PDF полного текста (812 kB)
Аннотация: Рассмотрено рассеяние дырок на поляризационных оптических и пьезоакустических колебаниях в ионных полупроводниках с вырожденной валентной зоной Γ8. Вычислены вероятности внутри- и межзонных переходов. Найдены выражения для подвижности тяжелых и легких дырок и средней подвижности. Полученные результаты сопоставляются с известными значениями для невырожденных зон и с экспериментом.
Поступила в редакцию: 09.07.1983
Принята в печать: 20.12.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Ю. Е. Перлин, Ш. Н. Гифейсман, “Рассеяние носителей заряда в ионных полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 865–872
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PerGif84}
\by Ю.~Е.~Перлин, Ш.~Н.~Гифейсман
\paper Рассеяние носителей заряда в~ионных полупроводниках с~вырожденным
краем валентной зоны
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 5
\pages 865--872
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1750}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1750
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i5/p865
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025