Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 739–741 (Mi phts1721)  

Краткие сообщения

Отрицательное магнитосопротивление в антимониде галлия, легированном теллуром

Н. Б. Брандт, С. В. Демишев, А. А. Дмитриев, В. В. Мощалков

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Поступила в редакцию: 15.06.1983
Принята в печать: 26.11.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Н. Б. Брандт, С. В. Демишев, А. А. Дмитриев, В. В. Мощалков, “Отрицательное магнитосопротивление в антимониде галлия, легированном теллуром”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 739–741
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BraDemDmi84}
\by Н.~Б.~Брандт, С.~В.~Демишев, А.~А.~Дмитриев, В.~В.~Мощалков
\paper Отрицательное магнитосопротивление в~антимониде галлия, легированном теллуром
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 4
\pages 739--741
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1721}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1721
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i4/p739
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025