|
Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 595–599
(Mi phts1687)
|
|
|
|
Ионизация электрическим полем атомов фосфора в кремнии
А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас Институт физики полупроводников АН ЛитССР
Аннотация:
Экспериментально показано, что генерация носителей с примесных уровней в зону может происходить за счет полевой, а не ударной ионизации, если к достаточно короткому полупроводниковому образцу приложить наносекундный импульс высокого напряжения. Эксперименты проведены на образцах Si : Р с блокирующими и $n^{+}{-}n$-контактами. Найдено, что время
туннелирования электронов с основного уровня фосфора, глубина которого 45.6 мэВ, в полях 16$-$20 кВ/см лежит в наносекундном диапазоне.
Поступила в редакцию: 04.10.1982 Принята в печать: 15.10.1983
Образец цитирования:
А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас, “Ионизация электрическим полем атомов фосфора в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 595–599
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1687 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i4/p595
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 99 |
|