Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 595–599 (Mi phts1687)  

Ионизация электрическим полем атомов фосфора в кремнии

А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас

Институт физики полупроводников АН ЛитССР
Аннотация: Экспериментально показано, что генерация носителей с примесных уровней в зону может происходить за счет полевой, а не ударной ионизации, если к достаточно короткому полупроводниковому образцу приложить наносекундный импульс высокого напряжения. Эксперименты проведены на образцах Si : Р с блокирующими и $n^{+}{-}n$-контактами. Найдено, что время туннелирования электронов с основного уровня фосфора, глубина которого 45.6 мэВ, в полях 16$-$20 кВ/см лежит в наносекундном диапазоне.
Поступила в редакцию: 04.10.1982
Принята в печать: 15.10.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас, “Ионизация электрическим полем атомов фосфора в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 595–599
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DarZhu84}
\by А.~Ю.~Даргис, С.~В.~Жураускас
\paper Ионизация электрическим полем атомов фосфора в~кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 4
\pages 595--599
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1687}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1687
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i4/p595
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:99
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025