Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 3, страницы 513–518 (Mi phts1663)  

Влияние разогрева и дрейфа электронов на показатель преломления n-InSb с учетом межзонных переходов

Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, Д. А. Фирсов

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина
Аннотация: Методом интерференционной модуляции излучения СO2-лазера исследовано изменение показателя преломления на свободных электронах в электрическом поле Δn(E) в n-InSb с концентрацией электронов 7.410141.21016см3 при T=100 K. Проведен расчет Δn(E) с учетом межзонных виртуальных переходов на основе соотношений Крамерса–Кронига, показан существенный вклад межзонных переходов в показатель преломления на горячих электронах при ωεg. Путем сравнения эксперимента с расчетом найдена зависимость электронной температуры Te от электрического поля для различных концентраций электронов.
Поступила в редакцию: 17.10.1983
Принята в печать: 26.10.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, Д. А. Фирсов, “Влияние разогрева и дрейфа электронов на показатель преломления n-InSb с учетом межзонных переходов”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 513–518
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VorStaFir84}
\by Л.~Е.~Воробьев, В.~И.~Стафеев, Д.~А.~Фирсов
\paper Влияние разогрева и~дрейфа электронов на показатель преломления
\mbox{$n$-InSb} с~учетом межзонных переходов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 3
\pages 513--518
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1663}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1663
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i3/p513
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:74
    PDF полного текста:41
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025