|
Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 289–294
(Mi phts1608)
|
|
|
|
Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием
гетероперехода AlxGa1−xAs−GaAs
З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс Институт физики полупроводников АН ЛитССР
Аннотация:
Измерена электродвижущая сила (ЭДС), появляющаяся в гидродинамически деформируемом гетеропереходе AlxGa1−xAs−GaAs. Зависимость ЭДС от состава x имеет максимум при x≈0.4 в случае, когда слой AlxGa1−xAs выращен на проводящей подложке. Величина ЭДС равна 30−50 мкВ и 1−4 мВ соответственно для слоев на проводящей и полуизолирующей подложках при давлении 5⋅107 Па. Возникновение деформационной ЭДС для слоев с проводящей подложкой объясняется долговременной перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе гетероперехода, а в случае полуизолирующей подложки — долговременной перезарядкой объемного заряда свободных электронов на гетеропереходе под действием гидродинамического давления.
Поступила в редакцию: 01.09.1983 Принята в печать: 07.09.1983
Образец цитирования:
З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс, “Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием
гетероперехода AlxGa1−xAs−GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 289–294
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1608 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i2/p289
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 58 | PDF полного текста: | 26 |
|