Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 289–294 (Mi phts1608)  

Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием гетероперехода AlxGa1xAsGaAs

З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс

Институт физики полупроводников АН ЛитССР
Аннотация: Измерена электродвижущая сила (ЭДС), появляющаяся в гидродинамически деформируемом гетеропереходе AlxGa1xAsGaAs. Зависимость ЭДС от состава x имеет максимум при x0.4 в случае, когда слой AlxGa1xAs выращен на проводящей подложке. Величина ЭДС равна 3050 мкВ и 14 мВ соответственно для слоев на проводящей и полуизолирующей подложках при давлении 5107 Па. Возникновение деформационной ЭДС для слоев с проводящей подложкой объясняется долговременной перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе гетероперехода, а в случае полуизолирующей подложки — долговременной перезарядкой объемного заряда свободных электронов на гетеропереходе под действием гидродинамического давления.
Поступила в редакцию: 01.09.1983
Принята в печать: 07.09.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс, “Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием гетероперехода AlxGa1xAsGaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 289–294
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarPozFil84}
\by З.~Н.~Барташевич, Ю.~К.~Пожела, В.~С.~Филипавичюс
\paper Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием
гетероперехода Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 2
\pages 289--294
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1608}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1608
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i2/p289
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025