|
Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 93–101
(Mi phts1559)
|
|
|
|
Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках
Е. Л. Ивченко, Ю. Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, Р. Я. Расулов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
Развита теория линейного фотогальванического эффекта (ЛФГЭ) в полупроводниках в магнитном поле. Показано, что наряду с известными ранее составляющими ЛФГЭ (баллистическим и сдвиговым) в магнитном поле возникает новая составляющая — магнитоиндуцированный ЛФГЭ. В классически сильном магнитном поле этот новый вклад компенсирует сдвиговый фототок,
в результате чего в сильном поле поперечная полю компонента тока ЛФГЭ полностью исчезает. Изучение зависимости фототока от частоты возбуждающего света, магнитного поля и температуры, в принципе, дает возможность выделить баллистическую, сдвиговую и магнитоиндуцированную составляющие ЛФГЭ.
Поступила в редакцию: 22.07.1983 Принята в печать: 27.07.1983
Образец цитирования:
Е. Л. Ивченко, Ю. Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, Р. Я. Расулов, “Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 93–101
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1559 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i1/p93
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 145 | PDF полного текста: | 87 |
|