|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 12, страницы 2149–2153
(Mi phts1518)
|
|
|
|
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора
PbS1−xSex (0⩽x⩽1)
И. И. Засавицкий, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов
Аннотация:
Из спектров фотолюминесценции (ФЛ) и электролюминесценции
определена зависимость ширины запрещенной зоны Eg от состава x
твердого раствора PbS1−xSex (0⩽x⩽1) при 10
и 78 K. Зависимость Eg(x) при обеих температурах отклоняется
от линейной не более чем на 3−4 мэВ. Экспериментальные результаты
сравниваются с результатами, предсказываемыми теорией сильной связи на
p-орбиталях. При высоких уровнях возбуждения
(J≳) излучением АИГ лазера
({h\nu=1.17} эВ, {\tau_{\text{имп}}=10} нс) в спектрах ФЛ появляются
дополнительные линии 0.30 и 0.17 эВ. Эти линии обусловлены ФЛ фаз
бинарных компонентов, образующихся в результате распыления твердого раствора.
Образец цитирования:
И. И. Засавицкий, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора
PbS_{1-x}Se_{x} ({0\leqslant x\leqslant1})”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2149–2153
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1518 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i12/p2149
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 62 | PDF полного текста: | 84 |
|