Loading [MathJax]/jax/element/mml/optable/MathOperators.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 12, страницы 2149–2153 (Mi phts1518)  

Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbS1xSex (0x1)

И. И. Засавицкий, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов
Аннотация: Из спектров фотолюминесценции (ФЛ) и электролюминесценции определена зависимость ширины запрещенной зоны Eg от состава x твердого раствора PbS1xSex (0x1) при 10 и 78 K. Зависимость Eg(x) при обеих температурах отклоняется от линейной не более чем на 34 мэВ. Экспериментальные результаты сравниваются с результатами, предсказываемыми теорией сильной связи на p-орбиталях. При высоких уровнях возбуждения (J) излучением АИГ лазера ({h\nu=1.17} эВ, {\tau_{\text{имп}}=10} нс) в спектрах ФЛ появляются дополнительные линии 0.30 и 0.17 эВ. Эти линии обусловлены ФЛ фаз бинарных компонентов, образующихся в результате распыления твердого раствора.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. И. Засавицкий, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbS_{1-x}Se_{x} ({0\leqslant x\leqslant1})”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2149–2153
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZasMatSho85}
\by И.~И.~Засавицкий, А.~В.~Курганский, Б.~Н.~Мацонашвили, А.~П.~Шотов
\paper Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора
PbS$_{1-x}$Se$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 12
\pages 2149--2153
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1518}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1518
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i12/p2149
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:84
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025