Влияние генерации неосновных носителей тока на емкостную спектроскопию поверхностных состояний в МДП структурах

Предложен численный метод решения задачи о перезарядке сплошного спектра поверхностных глубоких центров при совместной эмиссии основных и неосновных носителей тока. Это решение позволяет полностью вычислить спектры DLTS МДП структуры и объяснить образование и свойства связанного с неосновными носителями тока максимума в экспериментальных спектрах. Рассмотрено влияние изгиба зон в полупроводнике во время эмиссии носителей тока и кинетических параметров поверхностных центров на этот максимум.