Процессы рекомбинации и прилипания фотоэлектронов в CdIn$_{2}$Se$_{4}$

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств монокристаллов GdIn$_{2}$Se$_{4}$ $n$-типа проводимости в температурном интервале ${77\div300}$ K. Обнаружены оптическое и термическое гашения собственной фотопроводимости, сверхлинейная люксамперная характеристика, термостимулированная проводимость. Установлено, что процесс рекомбинации в CdIn$_{2}$Se$_{4}$ осуществляется быстрым ($s$) центром и двумя типами медленных ($k$ и $r$) центров акцепторного типа. В запрещенной зоне CdIn$_{2}$Se$_{4}$ присутствуют экспоненциально распределенные в энергетическом интервале ${0.1\div0.21}$ эВ уровни прилипания для электронов. Определены характеристические параметры $k$- и $r$-центров рекомбинации и уровней прилипания. Приводится энергетический спектр локальных состояний в CdIn$_{2}$Se$_{4}$.