Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 7, страницы 1176–1181 (Mi phts1290)  

Инверсия населенности дырок и коэффициенты усиления света в германии в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях

Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов
Аннотация: Приведены спектральная и полевая зависимости инверсной населенности прямых оптических переходов горячих дырок между легкой и тяжелой подзонами, полученные на основе ранее экспериментально и теоретически найденных функций распределения тяжелых и легких дырок в скрещенных E и H полях при ${T_{0}=10}$ K и ${H=22}$ кЭ. Обсуждаются механизмы инверсии. Рассмотрена зависимость инверсии от концентрации дырок. Определена спектральная зависимость коэффициентов усиления и внутризонного поглощения света горячими дырками, что позволяет оценить спектральный диапазон области генерации длинноволнового ИК излучения.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. И. Стафеев, В. Н. Тулупенко, Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Инверсия населенности дырок и коэффициенты усиления света в германии в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1176–1181
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{StaPoz85}
\by Л.~Е.~Воробьев, С.~Н.~Данилов, В.~И.~Стафеев, В.~Н.~Тулупенко, Ю.~К.~Пожела, Е.~В.~Стариков, П.~Н.~Шикторов
\paper Инверсия населенности дырок и~коэффициенты усиления света в~германии
в~$\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 7
\pages 1176--1181
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1290}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1290
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i7/p1176
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025