Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 6, страницы 1156–1158 (Mi phts1283)  
Краткие сообщения

Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных слоях Si−SiO2

Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке
PDF полного текста (428 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных слоях Si−SiO2”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1156–1158
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DalLeb85}
\by Х.~С.~Далиев, А.~А.~Лебедев, В.~Экке
\paper Оценка профиля распределения степени окисления кремния в~переходных
слоях Si$-$SiO$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 6
\pages 1156--1158
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1283}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1283
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i6/p1156
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025