|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 5, страницы 917–919
(Mi phts1219)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Емкостная спектроскопия глубоких уровней
(ГУ) в $n$-Si(Cr)
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке
Образец цитирования:
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней
(ГУ) в $n$-Si(Cr)”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 917–919
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1219 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i5/p917
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 34 |
|