Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов

Рассмотрен один из возможных механизмов дальнодействующего влияния ионной бомбардировки на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов. В основе механизма лежат генерация упругих волн тепловыми пиками, суперпозиция волн от отдельных ионов и взаимодействие результирующей волны с примесно-дефектными атмосферами протяженных дефектов. Показано, что в результате стока на дефект вакансий, которые становятся неравновесными в фазе растяжения, и пополнения их концентрации в фазе сжатия возможно рассасывание междоузельных кластеров или переползание дислокаций.