Энергетические уровни селена в кремнии

Методами емкостной спектроскопии исследованы центры Se, введенные в кремний ионной имплантацией. Обнаружено четыре донорных уровня в верхней половине запрещенной зоны, принадлежащие трем различным центрам: двухзарядному донору в узле решетки Se$_{s}$ (0.29 и 0.51 эВ), молекуле Se$_{2}$ (0.19 эВ) и более сложному комплексу Se$_{x}$ (${< 0.1}$ эВ). Исследованы температурные зависимости сечения фотоионизации уровней Se$_{s}$ и другие параметры глубоких центров селена. Все обнаруженные уровни не являются специфическими для ионного легирования и образуются также при диффузионном введении примеси Se.