|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 114–117
(Mi phts1032)
|
|
|
|
Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов
Аннотация:
Емкостными методами (DLTS и термостимулированной емкостью (ТСЕ))
проведено исследование диодных структур на основе эпитаксиальных
пленок $6H$-SiC.
Образец цитирования:
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 114–117
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1032 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i1/p114
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 65 | PDF полного текста: | 69 |
|