Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 114–117 (Mi phts1032)  

Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии

М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов
Аннотация: Емкостными методами (DLTS и термостимулированной емкостью (ТСЕ)) проведено исследование диодных структур на основе эпитаксиальных пленок $6H$-SiC.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 114–117
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AniLebSyr85}
\by М.~М.~Аникин, А.~А.~Лебедев, А.~Л.~Сыркин, А.~В.~Суворов
\paper Иследование глубоких уровней в~SiC методами емкостной спектроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 1
\pages 114--117
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1032}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1032
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i1/p114
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:69
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025