Аннотация:
Разработан и реализован программный пакет для моделирования пространственно-временной динамики заряда в полупроводниковой наноструктуре (сверхрешетке), находящейся
под воздействием внешнего наклонного магнитного поля. Подробно изложены аналитическая и численная модели, положенные в основу программного пакета. Описана структура прикладного программного пакета. Показано, что разработанный программный пакет
может быть успешно использован для исследования динамики полупроводниковых сверхрешеток, в том числе для улучшения характеристик генерации наноструктуры в устройствах суб-ТГц и ТГц диапазона.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (№ 931 и 3.23.2014/К), Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 15-02-00624 и 15-32-20299), гранта Президента РФ для молодых российских ученых-кандидатов наук (МК-5426.2015.2).
Образец цитирования:
В. В. Макаров, А. О. Сельский, В. А. Максименко, А. А. Короновский, О. И. Москаленко, А. Е. Храмов, “Модель и программный пакет для исследования и оптимизации характеристик генерации полупроводниковой сверхрешетки”, Матем. моделирование, 28:11 (2016), 19–32; Math. Models Comput. Simul., 9:3 (2017), 359–368
\RBibitem{MakSelMak16}
\by В.~В.~Макаров, А.~О.~Сельский, В.~А.~Максименко, А.~А.~Короновский, О.~И.~Москаленко, А.~Е.~Храмов
\paper Модель и программный пакет для исследования и оптимизации характеристик генерации полупроводниковой сверхрешетки
\jour Матем. моделирование
\yr 2016
\vol 28
\issue 11
\pages 19--32
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm3784}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28119123}
\transl
\jour Math. Models Comput. Simul.
\yr 2017
\vol 9
\issue 3
\pages 359--368
\crossref{https://doi.org/10.1134/S2070048217030097}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85020180293}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm3784
https://www.mathnet.ru/rus/mm/v28/i11/p19
Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
V D Shashurin, N A Vetrova, A A Filyaev, “Evaluation of channel transmission of nanoelectronic devices on low-dimensional structures with quantum confinement”, J. Phys.: Conf. Ser., 1560:1 (2020), 012048