С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$”, ЖТФ, 86:5 (2016), 107–111; Tech. Phys., 61:5 (2016), 745

Журнал технической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 5, страницы 107–111 (Mi jtf6559)

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO

$_{x}$

С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

PDF полного текста (172 kB) Список цитирования (16)

Аннотация: Для мемристивных структур “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO

$_{x}$ установлены изменения иммитанса при электроформовке и резистивном переключении, которые подтверждают образование проводящих каналов (филаментов) в диэлектрике при формовке и их прерывание при переходе структуры в состояние с высоким сопротивлением. Обнаружено переключение дифференциальной емкости и проводимости, синхронное с переключением тока (сопротивления), которое может существенно расширить функциональные применения мемристивных устройств данного типа.

Поступила в редакцию: 17.03.2015

Англоязычная версия:
Technical Physics, 2016, Volume 61, Issue 5, Pages 745–749
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378421605025X

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO

$_{x}$ ”, ЖТФ, 86:5 (2016), 107–111; Tech. Phys., 61:5 (2016), 745–749

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{TikGorAnt16}

\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, И.~Н.~Антонов, А.~П.~Касаткин, Д.~С.~Королев, А.~И.~Белов, А.~Н.~Михайлов, Д.~И.~Тетельбаум

\paper Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах ``металл--диэлектрик--металл'' на основе SiO$_{x}$

\jour ЖТФ

\yr 2016

\vol 86

\issue 5

\pages 107--111

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6559}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368408}

\transl

\jour Tech. Phys.

\yr 2016

\vol 61

\issue 5

\pages 745--749

\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378421605025X}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/jtf6559

https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i5/p107

Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:

E. S. Gorlachev, V. M. Mordvintsev, S. E. Kudryavtsev, “Features of Electroforming and Functioning of Memristors Based on Open TiN–SiO<sub>2</sub>–Mo Sandwich Structures”, Mikroèlektronika, 53:1 (2024), 75
E. S. Gorlachev, V. M. Mordvintsev, S. E. Kudryavtsev, “Features of Electroforming and Functioning of Memristors Based on Open TiN–SiO2–Mo Sandwich Structures”, Russ Microelectron, 53:1 (2024), 57
V. M. Mordvintsev, S. E. Kudryavtsev, V. V. Naumov, E. S. Gorlachev, “Effect of the Material of Electrodes on Electroformation and Properties of Memristors Based on Open Metal–SiO2–Metal Sandwich Structures”, Russ Microelectron, 52:5 (2023), 419
V. M. Mordvintsev, E. S. Gorlachev, S. E. Kudryavtsev, “A Mechanism for the Formation of a Conducting Medium in Memristers Based on Electroformed Open Sandwich MDM Structures”, Russ Microelectron, 51:4 (2022), 255
M A Mishchenko, D I Bolshakov, V I Lukoyanov, D S Korolev, A I Belov, D V Guseinov, V V Matrosov, V B Kazantsev, A N Mikhaylov, “Inverted spike-rate-dependent plasticity due to charge traps in a metal-oxide memristive device”, J. Phys. D: Appl. Phys., 55:39 (2022), 394002
V. M. Mordvintsev, E. S. Gorlachev, S. E. Kudryavtsev, “Effect of the Electroformation Conditions on the Switching Stability of Memristors Based on Open “Sandwich” Structures in an Oxygen Medium”, Russ Microelectron, 50:3 (2021), 146
V. M. Mordvintsev, E. S. Gorlachev, S. E. Kudryavtsev, V. L. Levin, “Influence of Oxygen Pressure on Switching in Memoristors Based on Electromoformed Open Sandwich Structures”, Russ Microelectron, 49:4 (2020), 269
Vladimir A. Volodin, Pavel Geydt, Gennadiy N. Kamaev, Andrei A. Gismatulin, Grigory K. Krivyakin, Igor P. Prosvirin, Ivan A. Azarov, Zhang Fan, Michel Vergnat, “Resistive Switching in Non-Stoichiometric Germanosilicate Glass Films Containing Ge Nanoclusters”, Electronics, 9:12 (2020), 2103
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304 ; S. V. Tikhov, A. I. Belov, D. S. Korolev, I. N. Antonov, A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Electrophysical characteristics of multilayer memristive nanostructures based on yttria-stabilized zirconia and tantalum oxide”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290
С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. И. Белов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1741–1749 ; S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. I. Belov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Resistive switching in metal–oxide–semiconductor structures with GeSi nanoislands on a silicon substrate”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1668–1676
D V Guseinov, D S Korolev, A I Belov, E V Okulich, V I Okulich, D I Tetelbaum, A N Mikhaylov, “Flexible Monte-Carlo approach to simulate electroforming and resistive switching in filamentary metal-oxide memristive devices”, Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., 28:1 (2020), 015007
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. И. Белов, И. Н. Антонов, А. И. Морозов, М. Н. Коряжкина, А. Н. Михайлов, “Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния”, ЖТФ, 89:6 (2019), 927–934 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. I. Belov, I. N. Antonov, A. I. Morozov, M. N. Koryazhkina, A. N. Mikhaylov, “Mechanisms of current transport and resistive switching in capacitors with yttria-stabilized hafnia layers”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 873–880
Egor Gorlachev, Viktor Mordvintsev, Sergey Kudryavtsev, Vladimir F. Lukichev, Konstantin V. Rudenko, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, 2019, 5
V. A. Volodin, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, A. Chin, M. Vergnat, “Memristor effect in GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloys films”, Applied Physics Letters, 114:23 (2019)
S.V. Tikhov, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, V.V. Karzanov, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors”, Microelectronic Engineering, 187-188 (2018), 134
M N Koryazhkina, S V Tikhov, A N Mikhaylov, A I Belov, D S Korolev, I N Antonov, V V Karzanov, O N Gorshkov, D I Tetelbaum, P Karakolis, P Dimitrakis, “Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide”, J. Phys.: Conf. Ser., 993 (2018), 012028

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	58
PDF полного текста:	16

Что такое QR-код?

Обратная связь:
math-net2025_03@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы