Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2017, том 87, выпуск 10, страницы 1539–1544
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.10.44999.1989 (Mi jtf6106) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции

М. В. Дорохинa, С. В. Зайцевb, А. В. Рыковa, А. В. Здоровейщевa, Е. И. Малышеваa, Ю. А. Даниловa, В. И. Зубковc, Д. С. Фроловc, Г. Е. Яковлевc, А. В. Кудринa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (174 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2017.10.44999.1989
Аннотация: Исследованы оптические и транспортные свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Показана возможность получения циркулярно-поляризованной люминесценции за счет легирования квантовых точек атомами Mn или Cr, причем знак степени циркулярной поляризации зависит от вида вводимой примеси. Обнаруженный эффект объясняется особенностями излучательной рекомбинации в квантовых точках в присутствии резидентных электронов и дырок.
Поступила в редакцию: 12.07.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2017, Volume 62, Issue 10, Pages 1545–1550
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784217100085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1539–1544; Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorZaiRyk17}
\by М.~В.~Дорохин, С.~В.~Зайцев, А.~В.~Рыков, А.~В.~Здоровейщев, Е.~И.~Малышева, Ю.~А.~Данилов, В.~И.~Зубков, Д.~С.~Фролов, Г.~Е.~Яковлев, А.~В.~Кудрин
\paper Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II.~Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
\jour ЖТФ
\yr 2017
\vol 87
\issue 10
\pages 1539--1544
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6106}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2017.10.44999.1989}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30067516}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2017
\vol 62
\issue 10
\pages 1545--1550
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784217100085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6106
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i10/p1539
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. George Yakovlev, Vasily Zubkov, Anna Solomnikova, “Active and buffer layers of GaN HEMT: ECV profiling and 2DEG calculation”, Materials Research Innovations, 24:7 (2020), 402  crossref
    2. Yana V. Ivanova, George E. Yakovlev, Vasily I. Zubkov, “EMISSION PROCESSES OF QUANTUM WELL INTERACTION WITH DELTA-LAYER IN pHEMT-HETEROSTRUCTURES”, Izv. vysš. učebn. zaved. Ross., Radioèlektron., 2018, no. 5, 44  crossref
    3. G Yakovlev, M Mironova, V Zubkov, A Dudin, “The control of electrophysical properties of GaAs pHEMT heterostructures”, J. Phys.: Conf. Ser., 1038 (2018), 012034  crossref
    4. Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 873–880  mathnet  crossref; G. E. Yakovlev, M. V. Dorokhin, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, “Specific features of the electrochemical capacitance–voltage profiling of GaAs LED and pHEMT structures with quantum-confined regions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1004–1011  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:114
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025