Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 12, страницы 1940–1946
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48495.217-19 (Mi jtf5443) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена

С. П. Лебедевa, И. С. Барашa, И. А. Елисеевa, П. А. Дементьевa, А. А. Лебедевab, П. В. Булатc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (2501 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48495.217-19
Аннотация: Изучено влияние температуры и длительности травления поверхности 4H-SiC (0001) в водороде на структурное совершенство пленок графена, выращиваемых методом термодеструкции. Определено несколько технологических режимов, позволяющих осуществлять травление подложки без изменения стехиометрического состава поверхности. Продемонстрировано, что предростовое травление в водороде при T = 1600∘C и длительности 1 min позволяет получать более однородный и структурно-совершенный графен, чем травление при T = 1300∘C и длительности 30 min.
Ключевые слова: графен, карбид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, атомно-силовая микроскопия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.575.21.0148
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (Соглашение № 14.575.21.0148, уникальный номер проекта RFMEFI57517X0148).
Поступила в редакцию: 25.05.2019
Исправленный вариант: 25.05.2019
Принята в печать: 10.06.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 12, Pages 1843–1849
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219120144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. П. Лебедев, И. С. Бараш, И. А. Елисеев, П. А. Дементьев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1940–1946; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebBarEli19}
\by С.~П.~Лебедев, И.~С.~Бараш, И.~А.~Елисеев, П.~А.~Дементьев, А.~А.~Лебедев, П.~В.~Булат
\paper Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 12
\pages 1940--1946
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5443}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48495.217-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848245}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 12
\pages 1843--1849
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219120144}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5443
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i12/p1940
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. Boris S. Roschin, Tatiana S. Argunova, Sergey P. Lebedev, Victor E. Asadchikov, Alexander A. Lebedev, Yuri O. Volkov, Alexander D. Nuzhdin, “Application of Grazing-Incidence X-ray Methods to Study Terrace-Stepped SiC Surface for Graphene Growth”, Materials, 15:21 (2022), 7669  crossref
    2. Toshiya Hamasaki, Kazuma Yagyu, Hisashi Mitani, Takashi Nishida, Hiroshi Tochihara, Takayuki Suzuki, “Hydrogen etching of the SiC(0001) surface at moderate temperature”, Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 39:5 (2021)  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025