Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 2, страницы 298–304
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.02.48824.211-19 (Mi jtf5391) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала

С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (737 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.02.48824.211-19
Аннотация: Изучены электрофизические характеристики многослойной мемристивной структуры Au/Ta/ZrO2(Y)/TaOx/TiN. Обнаружены электронные и ионные электретные эффекты, связанные с захватом носителей заряда на ловушки и ионной миграционной поляризацией в диэлектрике. Установлено влияние ловушек на процессы электроформовки и резистивного переключения. Определены значения энергии активации и концентрации для ловушек и ионов. Обнаружено явление стабилизации резистивного переключения, которое связывается с особенностями двуслойной структуры TaOx и самоформирующимися нанокластерами Ta. Нанокластеры выполняют роль концентраторов электрического поля в процессе электроформовки и последующего резистивного переключения.
Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, ловушки, ионы, миграционная поляризация, нанокластеры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-23001
Работа выполнена в рамках гранта Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ 18-29-23001).
Поступила в редакцию: 21.05.2019
Исправленный вариант: 21.05.2019
Принята в печать: 10.06.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 2, Pages 284–290
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220020231
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304; Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikBelKor20}
\by С.~В.~Тихов, А.~И.~Белов, Д.~С.~Королев, И.~Н.~Антонов, А.~А.~Сушков, Д.~А.~Павлов, Д.~И.~Тетельбаум, О.~Н.~Горшков, А.~Н.~Михайлов
\paper Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 2
\pages 298--304
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5391}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.02.48824.211-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42745579}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 2
\pages 284--290
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220020231}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5391
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i2/p298
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. Mikhail A. Mishchenko, Natalia S. Kovaleva, Alexey Mikhaylov, 2024 8th Scientific School Dynamics of Complex Networks and their Applications (DCNA), 2024, 169  crossref
    2. M A Mishchenko, D I Bolshakov, V I Lukoyanov, D S Korolev, A I Belov, D V Guseinov, V V Matrosov, V B Kazantsev, A N Mikhaylov, “Inverted spike-rate-dependent plasticity due to charge traps in a metal-oxide memristive device”, J. Phys. D: Appl. Phys., 55:39 (2022), 394002  crossref
    3. Sergey Shchanikov, Ilya Bordanov, Anton Zuev, Sergey Danilin, Dmitry Korolev, Alexey Belov, Alexey Mikhaylov, “Fault Tolerance of Memristor-Based Perceptron Network for Neural Interface”, BioNanoSci., 11:1 (2021), 84  crossref
    4. N.V. Agudov, A.A. Dubkov, A.V. Safonov, A.V. Krichigin, A.A. Kharcheva, D.V. Guseinov, M.N. Koryazhkina, A.S. Novikov, V.A. Shishmakova, I.N. Antonov, A. Carollo, B. Spagnolo, “Stochastic model of memristor based on the length of conductive region”, Chaos, Solitons & Fractals, 150 (2021), 111131  crossref
    5. Sergey Shchanikov, Anton Zuev, Ilya Bordanov, Daniil Nikishov, Sergey Danilin, Alexey Belov, Dmitry Korolev, Yana Pigareva, Alexey Pimashkin, Alexey Mikhaylov, Victor Kazantsev, Alexantrou Serb, 2021 Third International Conference Neurotechnologies and Neurointerfaces (CNN), 2021, 100  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:89
    PDF полного текста:37
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025