А. А. Лебедев, А. В. Кириллов, Л. П. Романов, А. В. Зубов, А. М. Стрельчук, “Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов”, ЖТФ, 90:2 (2020), 264–267; Tech. Phys., 65:2 (2020), 250

Журнал технической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 2, страницы 264–267
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.02.48820.268-19 (Mi jtf5387)

Твердотельная электроника

Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4

$H$ -SiC

$p$ –

$i$ –

$n$ -диодов

А. А. Лебедев^a, А. В. Кириллов^b, Л. П. Романов^b, А. В. Зубов^c, А. М. Стрельчук^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

PDF полного текста (504 kB)

DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.02.48820.268-19

Аннотация: Разработана технология СВЧ

$p$ –

$i$ –

$n$ -диодов на основе карбида кремния (SiC). С использованием данных диодов изготовлены переключатели для трехсантиметрового диапазона. Показано, что разработанные приборы по величине рабочей мощности примерно в 10 раз превышают рабочую мощность переключателей на базе Si-диодов при одинаковой толщине базы, равной 5

$\mu$ m. Намечены пути дальнейшей оптимизации технологии данных приборов.

Ключевые слова: карбид кремния, СВЧ диоды, модуляторы, переключатели, аттенюаторы.

Поступила в редакцию: 09.07.2019
Исправленный вариант: 09.07.2019
Принята в печать: 13.08.2019

Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 2, Pages 250–253
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220020139

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. А. Лебедев, А. В. Кириллов, Л. П. Романов, А. В. Зубов, А. М. Стрельчук, “Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4

$H$ -SiC

$p$ –

$i$ –

$n$ -диодов”, ЖТФ, 90:2 (2020), 264–267; Tech. Phys., 65:2 (2020), 250–253

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{LebKirRom20}

\by А.~А.~Лебедев, А.~В.~Кириллов, Л.~П.~Романов, А.~В.~Зубов, А.~М.~Стрельчук

\paper Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$--$i$--$n$-диодов

\jour ЖТФ

\yr 2020

\vol 90

\issue 2

\pages 264--267

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5387}

\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.02.48820.268-19}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42745559}

\transl

\jour Tech. Phys.

\yr 2020

\vol 65

\issue 2

\pages 250--253

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220020139}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/jtf5387

https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i2/p264

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	65
PDF полного текста:	28

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы