Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 6, страницы 988–996
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.06.50870.353-20 (Mi jtf4996) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Твердотельная электроника

Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем

А. С. Гусев, Н. И. Каргин, С. М. Рындя, Г. К. Сафаралиев, Н. В. Сигловая, М. О. Смирнова, И. О. Соломатин, А. О. Султанов, А. А. Тимофеев

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
PDF полного текста (915 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.06.50870.353-20
Аннотация: Результаты работы количественно и качественно освещают процессы релаксации напряжений несоответствия, возникающих при эпитаксии кубического карбида кремния на кремнии. Проведен анализ распределений механических напряжений в гетероструктурах 3C–SiC/Si и 3C–SiC/por-Si. Показана существенная роль пористого буферного слоя в уменьшении величины напряжений несоответствия. Данные теоретического исследования подтверждены экспериментальными значениями остаточных напряжений в образцах 3C–SiC/Si и 3C–SiC/por-Si.
Ключевые слова: карбид кремния, пористый кремний, остаточные напряжения, дислокации несоответствия.
Поступила в редакцию: 30.12.2020
Исправленный вариант: 19.01.2021
Принята в печать: 21.01.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 7, Pages 869–877
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784221060074
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гусев, Н. И. Каргин, С. М. Рындя, Г. К. Сафаралиев, Н. В. Сигловая, М. О. Смирнова, И. О. Соломатин, А. О. Султанов, А. А. Тимофеев, “Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем”, ЖТФ, 91:6 (2021), 988–996; Tech. Phys., 66:7 (2021), 869–877
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusKarRyn21}
\by А.~С.~Гусев, Н.~И.~Каргин, С.~М.~Рындя, Г.~К.~Сафаралиев, Н.~В.~Сигловая, М.~О.~Смирнова, И.~О.~Соломатин, А.~О.~Султанов, А.~А.~Тимофеев
\paper Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 6
\pages 988--996
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4996}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.06.50870.353-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46468641}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 7
\pages 869--877
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784221060074}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85124368092}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4996
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i6/p988
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    1. V. V. Kidalov, A. S. Revenko, D. Duleba, R. A. Redko, M. Assmann, A. I. Gudimenko, R. P. Johnson, “Investigation of Mechanical Stresses in SiC/Porous-Si Heterostructure”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 13:11 (2024), 114003  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:85
    PDF полного текста:64
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025