Воздействие импульсного вакуумного ультрафиолета на пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников AsSe и As$_{2}$S$_{3}$

Исследовалось воздействие импульсного излучения ArF эксимерного лазера (${\lambda=193}$ нм, ${\tau=20}$ пс) на пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников As$_{2}$S$_{3}$ и AsSe. При увеличении потока излучения до 100 мДж/см$^{2}$ последовательно наблюдаются эффекты фотопотемнения, фотоабляции и фототермоабляции облученного материала. Интенсивность фотопотемнения резко возрастает при продвижении $\lambda_{0}$ к ВУФ диапазону и носит нелинейный характер: закон взаимозаместимости нарушается. Кроме того, фотопотемнение сопровождается изменением химической растворимости облученных участков материала. Начиная с 20$-$25 мДж/см$^{2}$ происходит фотоабляция. Зависимость скорости аблятивного процесса от энергии в импульсе $E_{\text и}$ имеет два участка: в первом происходит непосредственное фототравление, во втором (${E_{\text и}>50}$ мДж/см$^{2}$) превалирует фототермоабляция.