Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1989, том 59, выпуск 11, страницы 195–199 (Mi jtf3636)  
Краткие сообщения

Высокочувствительный фотодетектор на основе InP−SiO2−InAs

С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, С. А. Ребров, С. П. Медвецкий
PDF полного текста (709 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, С. А. Ребров, С. П. Медвецкий, “Высокочувствительный фотодетектор на основе InP−SiO2−InAs”, ЖТФ, 59:11 (1989), 195–199
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Rad89}
\by С.~И.~Радауцан, А.~Е.~Цуркан, С.~А.~Ребров, С.~П.~Медвецкий
\paper Высокочувствительный фотодетектор на основе
InP$-$SiO$_{2}{-}$InAs
\jour ЖТФ
\yr 1989
\vol 59
\issue 11
\pages 195--199
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3636}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3636
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v59/i11/p195
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025