Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1989, том 59, выпуск 1, страницы 200–202 (Mi jtf3195)  
Краткие сообщения

Формирование скрытого слоя β-Si3N4 при высокоинтенсивном ионном облучении (ВИО) кремния

И. А. Бачило, Р. В. Грибковский, Ф. Ф. Комаров, В. А. Мироненко, А. П. Новиков
PDF полного текста (392 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Бачило, Р. В. Грибковский, Ф. Ф. Комаров, В. А. Мироненко, А. П. Новиков, “Формирование скрытого слоя β-Si3N4 при высокоинтенсивном ионном облучении (ВИО) кремния”, ЖТФ, 59:1 (1989), 200–202
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KomNov89}
\by И.~А.~Бачило, Р.~В.~Грибковский, Ф.~Ф.~Комаров, В.~А.~Мироненко, А.~П.~Новиков
\paper Формирование скрытого слоя $\beta$-Si$_{3}$N$_{4}$
при высокоинтенсивном ионном облучении (ВИО) кремния
\jour ЖТФ
\yr 1989
\vol 59
\issue 1
\pages 200--202
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3195}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3195
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v59/i1/p200
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025