|
Журнал технической физики, 1986, том 56, выпуск 6, страницы 1198–1201
(Mi jtf244)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования
структур
GaAs−Ga1−xAlxAs
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, C. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского, Научно-исследовательский институт механики и физики
Поступила в редакцию: 19.03.1985 Исправленный вариант: 16.07.1985
Образец цитирования:
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, C. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха, “Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования
структур
GaAs−Ga1−xAlxAs”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1198–1201
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf244 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v56/i6/p1198
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 34 |
|