Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

Исследовалось влияние параметров технологического процесса на внедрение фоновых примесей в легированные оловом и бериллием слои арсенида галлия, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). В слоях, легированных бериллием, концентрация марганца существенно меньше, чем в слоях, легированных оловом. Показано, что в области температур подложки, больших 580$^{\circ}$С, в слоях, легированных оловом, концентрация марганца экспоненциально падает с увеличением температуры подложки, в то время как при меньших температурах меняется слабо. Величина энтальпии встраивания марганца, определенная из экспоненциального участка этой зависимости, находится в удовлетворительном соответствии с теоретически рассчитанной. Увеличение давления мышьяка на поверхность роста приводит к увеличению концентрации марганца и уменьшению концентрации углерода в слоях. Данные работы говорят в пользу применимости термодинамических представлений для описания процессов легирования при МПЭ.