|
Журнал технической физики, 1985, том 55, выпуск 1, страницы 107–110
(Mi jtf1065)
|
|
|
|
Квантовая электроника
Влияние образования ионных дефектов на поглощение света и оптический
пробой прозрачных сред
А. М. Бонч-Бруевич, М. Н. Либенсон, В. Л. Комолов, А. Г. Румянцев
Аннотация:
Проведен теоретический анализ роста наведенного
поглощения в полупроводнике при тепловой генерации ионных дефектов под
действием света и условий возникновения в материале тепловой неустойчивости.
Предложенная модель позволила проследить влияние термохимических процессов
на оптический пробой и выявить условия перехода от полупроводникового
механизма оптического пробоя к термохимическому.
Поступила в редакцию: 27.02.1984
Образец цитирования:
А. М. Бонч-Бруевич, М. Н. Либенсон, В. Л. Комолов, А. Г. Румянцев, “Влияние образования ионных дефектов на поглощение света и оптический
пробой прозрачных сред”, ЖТФ, 55:1 (1985), 107–110
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf1065 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v55/i1/p107
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 68 | PDF полного текста: | 34 |
|