Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2024, том 119, выпуск 9, страницы 692–696
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782409009X (Mi jetpl7220) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF2/Si(111), модифицированных электронным облучением

А. Ф. Зиновьеваab, В. А. Зиновьевa, А. В. Кацюбаa, В. А. Володинab, В. И. Муратовb, А. В. Двуреченскийab

a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (877 kB) Первая страница Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782409009X
Аннотация: Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения силицена на модифицированных электронным облучением подложках CaF2/Si(111). Показано, что формирующиеся под электронным пучком участки планарной поверхности CaSi2 с гексагональной упаковкой могут быть использованы как естественная основа для последующего роста силицена. На таких поверхностях проведено осаждение кремния и методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света получено подтверждение формирования островков силицена.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FWGW-2022-0011
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема # FWGW-2022-0011 Физические явления в квантовых структурах для компонент наноэлектроники, нанофотоники и спинтроники).
Поступила в редакцию: 06.03.2024
Исправленный вариант: 30.03.2024
Принята в печать: 01.04.2024
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2024, Volume 119, Issue 9, Pages 703–707
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364024600599
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, В. И. Муратов, А. В. Двуреченский, “Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF2/Si(111), модифицированных электронным облучением”, Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024), 692–696; JETP Letters, 119:9 (2024), 703–707
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZinZinKat24}
\by А.~Ф.~Зиновьева, В.~А.~Зиновьев, А.~В.~Кацюба, В.~А.~Володин, В.~И.~Муратов, А.~В.~Двуреченский
\paper Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2024
\vol 119
\issue 9
\pages 692--696
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7220}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S123456782409009X}
\edn{https://elibrary.ru/DHFOUQ}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2024
\vol 119
\issue 9
\pages 703--707
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364024600599}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7220
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v119/i9/p692
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    1. Alessandro Molle, Junji Yuhara, Yukiko Yamada-Takamura, Zdenek Sofer, Chem. Soc. Rev., 2025  crossref
    2. Soumen Giri, Subhashree Kalyani Nanda, Anita Parida, Journal of Energy Storage, 113 (2025), 115521  crossref
    3. D. V. Pavlov, V. M. Il'yaschenko, A. V. Bozhok, D. E. Banniy, A. A. Kuchmizhak, A. V. Shevlyagin, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 88:S3 (2024), S418  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    Список литературы:9
    Первая страница:2
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025