Аннотация:
Обнаружено, что встраивание слоев квантовых точек Ge/Si в двумерный фотонный кристалл (ФК) приводит к многократному (до 5 раз) усилению фототока в ближнем инфракрасном диапазоне. ФК представлял собой регулярную треугольную решетку отверстий в гетероструктуре Si/Ge/Si, выращенной на подложке кремний-на-изоляторе. Результаты объяснены возбуждением падающей световой волной планарных мод ФК, распростаняющихся вдоль слоев Ge/Si и эффективно взаимодействущих с межзонными переходами в квантовых точках.
Образец цитирования:
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 501–506; JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023), 240–244; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, JETP Letters, 118:4 (2023), 244–248
Vyacheslav A. Timofeev, Vladimir I. Mashanov, Alexandr I. Nikiforov, Ilya V. Skvortsov, Alexey E. Gayduk, Alexey A. Bloshkin, Viktor V. Kirienko, Dmitry E. Utkin, Dmitry V. Kolyada, Dmitry D. Firsov, Oleg S. Komkov, Materials Today Physics, 33 (2023), 101052
Virginia Falcone, Andrea Ballabio, Andrea Barzaghi, Carlo Zucchetti, Luca Anzi, Federico Bottegoni, Jacopo Frigerio, Roman Sordan, Paolo Biagioni, Giovanni Isella, APL Photonics, 7:4 (2022)