А. Г. Куликов, А. Е. Благов, Н. В. Марченков, В. А. Ломонов, А. В. Виноградов, Ю. В. Писаревский, М. В. Ковальчук, “Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле”, Письма в ЖЭТФ, 107:10 (2018), 679–683; JETP Letters, 107:10 (2018), 646

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 107, выпуск 10, страницы 679–683
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18100119 (Mi jetpl5581)

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле

А. Г. Куликов^ab, А. Е. Благов^ab, Н. В. Марченков^ab, В. А. Ломонов^a, А. В. Виноградов^a, Ю. В. Писаревский^ab, М. В. Ковальчук^ab

^a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, Федеральный научно-исследовательский центр “Кристаллография и фотоника” РАН, 119333 Москва, Россия
^b Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123098 Москва, Россия

PDF полного текста (757 kB) Список цитирования (16)

Список литературы:

PDF

HTML

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18100119

Аннотация: С помощью in situ рентгенодифракционных измерений исследован процесс образования приповерхностных структур в кристалле парателлурита (

α

$\alpha$ -ТеО

_{2}

$_2$ ) при приложении к нему внешнего электрического поля. Данный процесс имеет обратимый характер и по динамике протекания (длительность процесса составляет десятки минут) соответствует образованию экранирующего слоя у границы раздела диэлектрик–металл за счет встречной миграции ионов кислорода и кислородных вакансий во внешнем электрическом поле. Образование доменов наблюдается в эксперименте в виде уширения и расщепления рентгеновской кривой дифракционного отражения и объясняется механическими напряжениями, возникающими в сильном электрическом поле вблизи поверхности в результате пьезоэффекта и вызывающими ферроэластический

α

$\alpha$ -

β

$\beta$ фазовый переход. Одновременно зарегистрировано изменение параметра решетки у анода (поверхность кристалла с положительным внешним зарядом), вызванное локальной перестройкой кристаллической структуры за счет скопления в этой области ионов кислорода и оттока кислородных вакансий.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций	007-ГЗ/Ч3363/26
Российский фонд фундаментальных исследований	16-32-60045_мол_а_дк 16-29-14057_офи_м
Работа выполнена при поддержке Федерального агентства научных организаций (соглашение # 007-ГЗ/Ч3363/26) в части “выращивания и подготовки кристаллов” и Российского фонда фундаментальных исследований (гранты # 16-32-60045 мол_а_дк, # 16-29-14057 офи_м) в части “исследования структурной перестройки парателлурита в условиях электрических полей”.

Поступила в редакцию: 05.03.2018
Исправленный вариант: 09.04.2018

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 107, Issue 10, Pages 646–650
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018100120

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. Г. Куликов, А. Е. Благов, Н. В. Марченков, В. А. Ломонов, А. В. Виноградов, Ю. В. Писаревский, М. В. Ковальчук, “Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле”, Письма в ЖЭТФ, 107:10 (2018), 679–683; JETP Letters, 107:10 (2018), 646–650

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{KulBlaMar18}

\by А.~Г.~Куликов, А.~Е.~Благов, Н.~В.~Марченков, В.~А.~Ломонов, А.~В.~Виноградов, Ю.~В.~Писаревский, М.~В.~Ковальчук

\paper Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле

\jour Письма в ЖЭТФ

\yr 2018

\vol 107

\issue 10

\pages 679--683

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5581}

\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18100119}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35753522}

\transl

\jour JETP Letters

\yr 2018

\vol 107

\issue 10

\pages 646--650

\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018100120}

\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000440151700011}

\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85050554349}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5581

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i10/p679

Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:

M. V. Kovalchuk, A. E. Blagov, O. S. Naraikin, N. V. Marchenkov, R. A. Senin, A. V. Targonskii, Crystallogr. Rep., 67:5 (2022), 676
P. V. Gureva, N. V. Marchenkov, G. M. Kuz'micheva, A. N. Artemev, A. A. Demkiv, Crystallogr. Rep., 67:6 (2022), 845
F. S. Pilyak, A. G. Kulikov, V. M. Fridkin, Yu. V. Pisarevsky, N. V. Marchenkov, A. E. Blagov, M. V. Kovalchuk, Physica B, 604 (2021), 412706
A. Petrenko, N. Novikova, A. Blagov, A. Kulikov, Yu. Pisarevskii, I. Verin, M. Kovalchuk, J. Appl. Crystallogr., 54:5 (2021), 1317–1326
N. I. Sorokin, Yu. V. Pisarevskii, V. A. Lomonov, Crystallogr. Rep., 66:6 (2021), 1051–1055
P. V. Gur'eva, N. V. Marchenkov, A. N. Artem'ev, N. A. Artem'ev, A. D. Belyaev, A. A. Demkiv, V. A. Shishkov, Instrum. Exp. Tech., 64:2 (2021), 308–314
A. Kulikov, A. Blagov, N. Marchenkov, A. Ilin, Yu. Pisarevsky, M. Kovalchuk, Acta Crystallogr. Sect. A, 77:S (2021), C985
A. Petrenko, E. Ovchinnikova, D. Novikov, A. Kulikov, A. Khadiev, N. Marchenkov, M. Zschornak, C. Ludt, K. Kozlovskaya, V. Dmitrienko, A. Blagov, Acta Crystallogr. Sect. A, 77:S (2021), C786
E. Ovchinnikova, D. Novikov, M. Zschornak, A. Kulikov, K. Kozlovskaya, V. Dmitrienko, A. Oreshko, A. Blagov, E. Mukhamedzhanov, N. Marchenkov, M. Borisov, A. Khadiev, A. Petrenko, Yu. Pisarevsky, Crystals, 10:9 (2020), 719
A. G. Kulikov, A. E. Blagov, A. S. Ilin, N. V. Marchenkov, Yu. V. Pisarevskii, M. V. Kovalchuk, J. Appl. Phys., 127:6 (2020), 065106
A. G. Kulikov, A. E. Blagov, N. V. Marchenkov, Yu. V. Pisarevskii, M. V. Kovalchuk, Phys. Solid State, 62:12 (2020), 2384–2392
Mukhtar Kerimov, Viktor Smelik, Movsar Kerimov, Mikhail Volkhonov, Viktor Kukhar, O. Loretts, N. Ojha, S. Vinogradov, A. Ruchkin, V. Kukhar, E3S Web of Conf., 222 (2020), 01022
N. Marchenkov, A. Kulikov, A. Targonsky, Ya. Eliovich, Yu. Pisarevsky, A. Seregin, A. Blagov, M. Kovalchuk, Sens. Actuator A-Phys., 293 (2019), 48–55
A. Kulikov, A. Blagov, N. Marchenkov, A. Targonsky, Ya. Eliovich, Yu. Pisarevsky, M. Kovalchuk, Sens. Actuator A-Phys., 291 (2019), 68–74
A. G. Kulikov, Yu. V. Pisarevskii, A. E. Blagov, N. V. Marchenkov, V. A. Lomonov, A. A. Petrenko, M. V. Kovalchuk, Phys. Solid State, 61:4 (2019), 548–554
Marchenkov V N., Kulikov A.G., Petrenko A.A., Pisarevsky V Yu., Blagov A.E., Rev. Sci. Instrum., 89:9 (2018), 095105

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	251
PDF полного текста:	44
Список литературы:	41
Первая страница:	10

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы