Аннотация:
Измерены коэффициент фотоэлектрического усиления, спектры фототока дырок в среднем инфракрасном диапазоне и межзонной фотолюминесценции в массивах квантовых точек Ge/Si с различным элементным составом гетерограницы. Диффузионное перемешивание материалов матрицы и квантовых точек контролировалось выбором температуры заращивания слоев германия кремнием. Обнаружено, что формирование резкой гетерограницы приводит к усилению фототока дырок и гашению сигнала фотолюминесценции. Результаты объяснены ростом времени жизни неравновесных дырок вследствие подавления процессов захвата на связанные состояния квантовых точек.
Образец цитирования:
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек Ge/Si с резкой гетерограницей”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 507–511; JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482