Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 100, выпуск 1, страницы 59–63
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14130104 (Mi jetpl3776) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Структурные и электрические свойства сверхлегированного поверхностного слоя кремния с глубокими донорными состояниями серы

А. А. Ионинa, С. И. Кудряшовab, С. В. Макаровa, Н. Н. Мельникa, А. А. Руденкоa, П. Н. Салтугановac, Л. В. Селезневa, Д. В. Синицынa, И. А. Тимкинab, Р. А. Хмельницкийa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
PDF полного текста (423 kB) Список цитирования (8)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14130104
Аннотация: Неоднородное сверхлегирование поверхностного слоя пластины кремния атомами серы с концентрацией атомов легирующей примеси на уровне более 2⋅1021см−3 на глубине порядка 100 нм достигнуто путем его фемтосекундной лазерной обработки в серосодержащей жидкости. Инфракрасная (ИК) спектроскопия сверхлегированного слоя демонстрирует отчетливые полосы межзонного поглощения донорных центров серы, отсутствующие в исходном материале, и широкую полосу поглощения свободных носителей с концентрацией ∼1018см−3. Относительно низкая плотность носителей связывается с равновесной термической ионизацией локализованных состояний легирующей примеси в сверхлегированном слое, сохраняющем невырожденный характер вследствие необычно сильной электрон-ионной связи в глубоких донорных состояниях.
Поступила в редакцию: 06.05.2014
Исправленный вариант: 05.06.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 100, Issue 1, Pages 55–58
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014130062
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Ионин, С. И. Кудряшов, С. В. Макаров, Н. Н. Мельник, А. А. Руденко, П. Н. Салтуганов, Л. В. Селезнев, Д. В. Синицын, И. А. Тимкин, Р. А. Хмельницкий, “Структурные и электрические свойства сверхлегированного поверхностного слоя кремния с глубокими донорными состояниями серы”, Письма в ЖЭТФ, 100:1 (2014), 59–63; JETP Letters, 100:1 (2014), 55–58
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IonKudMak14}
\by А.~А.~Ионин, С.~И.~Кудряшов, С.~В.~Макаров, Н.~Н.~Мельник, А.~А.~Руденко, П.~Н.~Салтуганов, Л.~В.~Селезнев, Д.~В.~Синицын, И.~А.~Тимкин, Р.~А.~Хмельницкий
\paper Структурные и электрические свойства сверхлегированного
поверхностного слоя кремния с глубокими донорными состояниями серы
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 1
\pages 59--63
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3776}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14130104}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21977619}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 1
\pages 55--58
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014130062}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000342148100010}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=23994801}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84908070118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3776
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i1/p59
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    1. Kudryashov S., Boldyrev K., Nastulyavichus A., Prikhod'ko D., Tarelkin S., Kirilenko D., Brunkov P., Shakhmin A., Khamidullin K., Krasin G., Kovalev M., Opt. Mater. Express, 11:11 (2021), 3792–3800  crossref  isi
    2. Kudryashov S., Nastulyavichus A., Kirilenko D., Brunkov P., Shakhmin A., Rudenko A., Melnik N., Khmelnitskii R., Martovitskii V., Uspenskaya M., Prikhodko D., Tarelkin S., Galkin A., Drozdova T., Ionin A., ACS Appl. Electron. Mater., 3:2 (2021), 769–777  crossref  isi
    3. J.-H. Zhao, X.-B. Li, Q.-D. Chen, Z.-G. Chen, H.-B. Sun, Mater. Today Nano, 11 (2020), 100078  crossref  isi  scopus
    4. Nastulyavichus A.A., Saraeva I.N., Rudenko A.A., Khmelnitskii R.A., Shakhmin A.L., Kirilenko D.A., Brunkov P.N., Melnik N.N., Smirnov N.A., Ionin A.A., Kudryashov S.I., Part. Part. Syst. Charact., 37:5 (2020), 2000010, 2000010  crossref  isi  scopus
    5. Ch.-Yu. Shih, I. Gnilitskyi, M. V. Shugaev, E. Skoulas, E. Stratakis, L. V. Zhigilei, Nanoscale, 12:14 (2020), 7674–7687  crossref  isi  scopus
    6. Ch. Jiang, D. Oshima, S. Iwata, Ph. W. T. Pong, T. Kato, J. Nanopart. Res., 22:1 (2019), 1  crossref  isi  scopus
    7. S. I. Kudryashov, L. V. Nguyen, D. A. Kirilenko, P. N. Brunkov, A. A. Rudenko, N. I. Busleev, A. L. Shakhmin, A. V. Semencha, R. A. Khmelnitsky, N. N. Melnik, I. N. Saraeva, A. A. Nastulyavichus, A. A. Ionin, E. R. Tolordava, Yu. M. Romanova, ACS Appl. Nano Mater., 1:6 (2018), 2461–2468  crossref  isi
    8. Ionin A.A. Kudryashov S.I. Seleznev L.V. Sinitsyn D.V. Lednev V.N. Pershin S.M., J. Exp. Theor. Phys., 121:5 (2015), 737–746  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:371
    PDF полного текста:111
    Список литературы:53
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025