Аннотация:
В диапазоне температур от 3 до 300 К в магнитных полях до 6 Тл исследованы полевая и температурная зависимости намагниченности GaAs/δ⟨Mn⟩/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs квантовых ям,
в которых δ⟨Mn⟩ слой отделялся от квантовой ямы GaAs спейсером толщиной 3 нм. Обнаружено, что при температурах менее 40 К происходит индуцированный внешним магнитным полем фазовый переход в ферромагнитное состояние со сдвигом петли гистерезиса намагниченности относительно нулевого магнитного поля. Предложена теоретическая модель, предполагающая сосуществование ферро- и антиферромагнитно упорядоченных областей внутри слоев GaAs.
Образец цитирования:
Б. А. Аронзон, А. С. Лагутин, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, В. Н. Меньшов, А. В. Лейскул, Р. Лайхо, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, “Магнитные свойства квантовых ям GaAs/δ⟨Mn⟩/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008), 192–198; JETP Letters, 87:3 (2008), 164–169
S. V. Zaitsev, V. V. Dremov, V. S. Stolyarov, Semiconductors, 58:1 (2024), 77
С. В. Зайцев, В. В. Дремов, В. С. Столяров, Письма в ЖЭТФ, 116:4 (2022), 233–241; S. V. Zaitsev, V. V. Dremov, V. S. Stolyarov, JETP Letters, 116:4 (2022), 232–239