Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек

Исследованы закономерности транспорта заряда, обусловленного прыжковой проводимостью дырок вдоль двумерных слоев квантовых точек Ge в Si. Показано, что температурная зависимость проводимости подчиняется закону Эфроса–Шкловского. Обнаружено немонотонное изменение эффективного радиуса локализации носителей заряда в квантовых точках при заселении точек дырками, связанное с последовательным заполнением электронных оболочек. Установлено, что при низких температурах ($T<10$ K) предэкспоненциальный множитель прыжковой проводимости перестает зависеть от температуры и осциллирует при варьировании степени заполнения квантовых точек дырками, принимая значения, кратные кванту кондактанса $e^2/h$. Полученные результаты свидетельствуют о том, что при понижении температуры происходит переход от активированной фононами прыжковой проводимости к бесфононному переносу заряда, доминирующую роль в процессах которого играет кулоновское взаимодействие локализованных носителей заряда.