А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, Г. Ю. Михалев, “Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 367–371; JETP Letters, 80:5 (2004), 321

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 80, выпуск 5, страницы 367–371 (Mi jetpl2103)

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si

А. И. Якимов^a, А. В. Двуреченский^a, А. И. Никифоров^a, Г. Ю. Михалев^b

^a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 620090 Новосибирск, Россия

PDF полного текста (431 kB) Список цитирования (10)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Методом спектроскопии комплексной проводимости (адмиттанса) определены скорости термоэмиссии и сечения захвата дырок на связанные состояния в квантовых точках Ge в Si. Обнаружено, что величины сечений захвата и энергии активации темпа эмиссии связаны между собой правилом Мейера – Нельделя с характерной энергией

27 \pm 3

$27\pm 3$ мэВ, не зависящей от размера квантовых точек. Установлено, что сечение захвата меняется с температурой по активационному закону. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о едином многофононном механизме происходящих активационных процессов перехода дырок из квантовых точек Ge в валентную зону Si и их обратного захвата.

Поступила в редакцию: 16.06.2004
Исправленный вариант: 19.07.2004

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, Volume 80, Issue 5, Pages 321–325
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1825114

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz

Образец цитирования: А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, Г. Ю. Михалев, “Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 367–371; JETP Letters, 80:5 (2004), 321–325

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{YakDvuNik04}

\by А.~И.~Якимов, А.~В.~Двуреченский, А.~И.~Никифоров, Г.~Ю.~Михалев

\paper Правило Мейера~-- Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si

\jour Письма в ЖЭТФ

\yr 2004

\vol 80

\issue 5

\pages 367--371

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2103}

\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..80..321Y}

\transl

\jour JETP Letters

\yr 2004

\vol 80

\issue 5

\pages 321--325

\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1825114}

\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-20444489963}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2103

https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v80/i5/p367

Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:

Tommy Hofmann, Haider Haseeb, Danny Kojda, Natalia Gostkowska‐Lekner, Klaus Habicht, Small Structures, 2025
Zinovyev V.A., Zinovieva A.F., Nenashev V A., Dvurechenskii V A., Katsuba V A., Borodavchenko O.M., Zhivulko V.D., Mudryi V A., J. Appl. Phys., 127:24 (2020)
Bloshkin A.A., Yakimov A.I., Timofeev V.A., Tuktamyshev A.R., Nikiforov A.I., Murashov V.V., Semiconductors, 51:3 (2017), 329–334
Baklanov A., Gutkin A., Brunkov P., 2Nd International School and Conference Saint-Petersburg Open on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (Spbopen2015), Journal of Physics Conference Series, 643, IOP Publishing Ltd, 2015, 012081
Bloshkin A.A., Yakimov A.I., Timofeev V.A., Dvurechenskii A.V., Semiconductors, 48:8 (2014), 1036–1040
Neupane M.R., Lake R.K., Rahman R., J. Appl. Phys., 112:2 (2012), 024326
Yelon A., Movaghar B., Crandall R.S., Rep Progr Phys, 69:4 (2006), 1145–1194
Volodin V.A., Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Efremov M.D., Nikiforov A.I., Gatskevich E.I., Ivlev G.D., Mikhalev G.Y., Semiconductors, 40:2 (2006), 202–209
Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Bloshkin A.A., Nenashev A.V., Volodin V.A., Physical Review B, 73:11 (2006), 115333
Antonova I.V., Golik L.L., Kagan M.S., Polyakov V.I., Rukavischnikov A.I., Rossukanyi N.M., Kolodzey J., Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XI, Solid State Phenomena, 2005, 489–494

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	274
PDF полного текста:	108
Список литературы:	60

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы